Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 89 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL3705NPBF

RS Stock No.:: 540-9991
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL3705NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 89 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL3705NPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB57.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB61.12

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

123 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 975 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB57.12
13 - 24	THB55.71
25 +	THB54.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 540-9991
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL3705NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	89A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	98nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	9.02mm
	Width	4.69 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 89A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 98nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 9.02mm
	Width 4.69 mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Infineon HEXFET Series MOSFET, 89A Maximum Continuous Drain Current, 170W Maximum Power Dissipation - IRL3705NPBF

This N-channel MOSFET is engineered for high-performance applications, while providing enhanced efficiency and reliability. Utilising advanced HEXFET technology, it boasts minimal on-resistance and is suitable for various automation, electronics, and electrical applications. The device operates across a wide temperature range, ensuring effective performance in diverse environments.

Features & Benefits

• Low Rds(on) of 10mΩ for increased efficiency

• Operates in enhancement mode for innovative circuit designs

• Fast switching capabilities for improved system responsiveness

• Fully avalanche rated for durability in demanding situations

Applications

• Suitable for industrial power management systems

• Ideal for motor drive in automation

• Compatible with power supplies that require low thermal resistance

• Utilised in DC-DC converters for enhanced energy efficiency

What is the maximum power dissipation capability?

The maximum power dissipation is rated at 170W, facilitating effective thermal management under high load conditions.

Is it suitable for high temperatures?

This device can function within a temperature range of -55°C to +175°C, making it suitable for a variety of high-temperature scenarios.

What is the significance of the gate threshold voltage range?

The gate threshold voltage ranges from 1V to 2V, which is essential for determining the on/off states across various gate drive voltages.

What considerations are there for using this in a circuit?

Ensure that the gate-to-source voltage does not exceed ±16V to prevent damage and maintain optimal functionality.