STMicroelectronics Isolated STripFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 485-8358P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS4DNF60L
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 625 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB33,207.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB35,531.875
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 11,030 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 625 - 1245 | THB53.132 |
| 1250 + | THB52.316 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 485-8358P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS4DNF60L
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | STripFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.25mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Series STripFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.25mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.