Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392BDS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9893
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2392BDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB363.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB388.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | THB18.173 | THB363.46 |
| 40 - 80 | THB15.902 | THB318.04 |
| 100 - 280 | THB14.174 | THB283.48 |
| 300 - 980 | THB13.877 | THB277.54 |
| 1000 + | THB13.581 | THB271.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9893
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2392BDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SI | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.149Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.1W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SI | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.149Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.1W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392BDS-T1-GE3
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4190BDY-T1-GE3
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4848BDY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2318CDS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23