STMicroelectronics STW N-Channel MOSFET, 92 A Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA65N023M9
- RS Stock No.:
- 275-1386
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA65N023M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB671.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB718.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB671.67 |
| 5 - 9 | THB658.37 |
| 10 + | THB501.99 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 275-1386
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA65N023M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 92A | |
| Series | STW | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 463W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 92A | ||
Series STW | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 463W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super junction power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Excellent switching performance
Easy to drive
100 percent avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STW N-Channel MOSFET 3-Pin TO-247 STWA65N023M9
- STMicroelectronics STW N-Channel MOSFET 4-Pin TO-247-4 STW65N023M9-4
- STMicroelectronics STW N-Channel MOSFET 3-Pin TO-247 STWA60N043DM9
- STMicroelectronics STW N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STWA75N65DM6
- STMicroelectronics STW N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STWA32N65DM6AG
- STMicroelectronics STW N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STW75N65DM6-4
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB110N15A
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB8748PBF
