Infineon CoolMOSTMPFD7 MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220 IPAN60R210PFD7SXKSA1
- RS Stock No.:
- 273-7460
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,230.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,386.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB44.60 | THB2,230.00 |
| 100 + | THB35.68 | THB1,784.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7460
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TO-220 | |
| Series | CoolMOSTMPFD7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 210mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TO-220 | ||
Series CoolMOSTMPFD7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET offers Cool MOS revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. It is designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS PFD7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, motor drive, lighting, etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price to performance ratio and state of the art ease of use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.
Fast body diode
Extremely low losses
Low switching losses Eoss
Excellent thermal behaviour
Excellent commutation ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOSTMPFD7 MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220 FullPAK SIHF110N65SF-GE3
- Infineon CoolMOSTM P7 MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220
- Infineon CoolMOSTM P7 MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220 IPAN60R180P7SXKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220