Infineon CoolMOSTM P7 MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220 IPAN60R180P7SXKSA1
- RS Stock No.:
- 273-7458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,488.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,663.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB49.776 | THB2,488.80 |
| 100 + | THB39.465 | THB1,973.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PG-TO-220 | |
| Series | CoolMOSTM P7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.18Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PG-TO-220 | ||
Series CoolMOSTM P7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.18Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET of Cool MOS 7th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V Cool MOS P7 series is the successor to the Cool MOS P6 series. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, example very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses makes witching applications even more efficient, more compact and much cooler.
Ease of use
Excellent ESD robustness
Simplified thermal management
Significant reduction of switching
Suitable for hard and soft switching
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOSTM P7 MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R180CM8XTMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R180P7SXKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R180P7XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOSTMPFD7 MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-220