Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Type P-Channel MOSFET, -14.9 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB653.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB699.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB130.664THB653.32
50 - 95THB108.736THB543.68
100 - 245THB100.446THB502.23
250 - 995THB93.33THB466.65
1000 +THB91.552THB457.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-5242
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSO080P03SHXUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-14.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Package Type

PG-DSO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

-102nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

-0.82V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.5mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Width

40 mm

Length

40mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It has 150 degree Celsius operating temperature and qualified according JEDEC for target applications.

Logic level

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Enhancement mode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง