Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Type P-Channel MOSFET, -14.9 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8 BSO080P03SHXUMA1
- RS Stock No.:
- 273-5241
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSO080P03SHXUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB115,805.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB123,912.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB46.322 | THB115,805.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5241
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSO080P03SHXUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -14.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Package Type | PG-DSO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Forward Voltage Vf | -0.82V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | -102nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 40 mm | |
| Length | 40mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -14.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Package Type PG-DSO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Forward Voltage Vf -0.82V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs -102nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Height 1.5mm | ||
Width 40 mm | ||
Length 40mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It has 150 degree Celsius operating temperature and qualified according JEDEC for target applications.
Logic level
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Enhancement mode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8 BSO301SPHXUMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin DSO BSO201SPHXUMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin DSO
- Infineon ISA Type N 7.9 A 8-Pin PG-DSO-8 ISA250300C04LMDSXTMA1
- Infineon ISA Type N 9.6 A 8-Pin PG-DSO-8 ISA170230C04LMDSXTMA1
- Infineon ISA Type N 10.2 A 8-Pin PG-DSO-8 ISA150233C03LMDSXTMA