Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET, 112 A, 150 V Enhancement, 3-Pin PG-TO262-3 IPI076N15N5AKSA1
- RS Stock No.:
- 273-3013
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPI076N15N5AKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB6,780.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,255.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB135.61 | THB6,780.50 |
| 100 + | THB125.925 | THB6,296.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3013
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPI076N15N5AKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 112A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PG-TO262-3 | |
| Series | OptiMOSa5 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 112A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PG-TO262-3 | ||
Series OptiMOSa5 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFETs are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications.
Higher power density designs
More rugged products
System cost reduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin PG-TO262-3
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP039N10N5AKSA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP076N15N5AKSA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRL7736M2TR
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3