Infineon OptiMOSTM Type N-Channel Power MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Stock No.:
- 273-2814
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISC011N03L5SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB220.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB235.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- 85 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB44.07 | THB220.35 |
| 50 - 495 | THB40.028 | THB200.14 |
| 500 - 995 | THB31.402 | THB157.01 |
| 1000 - 2495 | THB30.726 | THB153.63 |
| 2500 + | THB30.054 | THB150.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2814
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISC011N03L5SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PG-TDSON-8 | |
| Series | OptiMOSTM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PG-TDSON-8 | ||
Series OptiMOSTM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET and optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC standard and halogen free according to IEC61249 2 21.
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOSTM Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC011N03L5SATMA1
- Infineon OptiMOSTM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-43 IAUCN04S7L005ATMA1
- Infineon OptiMOSTM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN04S7L009ATMA1
- Infineon OptiMOSTM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-33 IAUCN04S7N030ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC105N15LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC152N15LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC088N15LS5ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel OptiMOST Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8