Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 21 A, 700 V Enhancement, 4-Pin PG-VSON-4 IPL65R099C7AUMA1
- RS Stock No.:
- 273-2789
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL65R099C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB300,642.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB321,687.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB100.214 | THB300,642.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2789
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL65R099C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | PG-VSON-4 | |
| Series | IPL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 99mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 128W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type PG-VSON-4 | ||
Series IPL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 128W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
The Infineon MOSFET is a 650V CoolMOS C7 series power transistor. CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Pb free plating
RoHS compliant
Lower switching losses
Increase power density
Enabling higher frequency
Halogen free mould compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin PG-VSON-4
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin PG-VSON-4
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 4-Pin PG-VSON-4 IPL65R230C7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R130CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R160CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R200CFD7AUMA1