ROHM R6077VNZ Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF R6077VNZC17
- RS Stock No.:
- 265-5425
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6077VNZC17
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB369.28
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB395.13
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB369.28 |
| 10 - 24 | THB339.48 |
| 25 - 49 | THB332.69 |
| 50 - 99 | THB325.91 |
| 100 + | THB319.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-5425
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6077VNZC17
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | R6077VNZ | |
| Package Type | TO-3PF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.051Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 108nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 113W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series R6077VNZ | ||
Package Type TO-3PF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.051Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 113W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications. It is mounted on a cu board as well as it is halogen free.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Halogen free mould compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6077VNZ Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW34NM60N
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW34NM60ND
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP34NM60N
- ROHM R6055VNZ Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF
- Vishay SiHG105N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG105N60EF-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHF30N60E-GE3
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247