Microchip VN2110 Type N-Channel MOSFET, 0.6 A, 100 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 VN2110K1-G

RS Stock No.:: 264-8943
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VN2110K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip VN2110 Type N-Channel MOSFET, 0.6 A, 100 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 VN2110K1-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB221.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB236.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,220 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB22.147	THB221.47
50 - 90	THB21.483	THB214.83
100 - 240	THB20.624	THB206.24
250 - 990	THB19.593	THB195.93
1000 +	THB18.417	THB184.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 264-8943
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VN2110K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	0.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-23
	Series	VN2110
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6Ω
	Channel Mode	MOSFET
	Maximum Power Dissipation Pd	0.36W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Width	1.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 0.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-23
	Series VN2110
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω
	Channel Mode MOSFET
	Maximum Power Dissipation Pd 0.36W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Width 1.3 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Datasheet - VN2110K1-G

The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

High input impedance and high gain

Microchip VN2110 Type N-Channel MOSFET, 0.6 A, 100 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 VN2110K1-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง