Microchip VN2110 Type N-Channel MOSFET, 0.6 A, 100 V MOSFET, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 264-8942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VN2110K1-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB51,126.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB54,705.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB17.042 | THB51,126.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-8942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VN2110K1-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | VN2110 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6Ω | |
| Channel Mode | MOSFET | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.36W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.3 mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series VN2110 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω | ||
Channel Mode MOSFET | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.36W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.3 mm | ||
Height 1.12mm | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
High input impedance and high gain
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip VN2110 Type N-Channel MOSFET 100 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 VN2110K1-G
- Microchip Type P-Channel MOSFET 40 V MOSFET, 3-Pin SOT-23
- Microchip Type P-Channel MOSFET 40 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 TP2104K1-G
- Microchip Type N-Channel MOSFET 240 V MOSFET, 3-Pin SOT-23
- Microchip Type N-Channel MOSFET 300 V MOSFET, 3-Pin SOT-23
- Microchip TN5335 Type N-Channel MOSFET 350 V MOSFET, 3-Pin SOT-23
- Microchip Type P-Channel MOSFET 350 V MOSFET, 3-Pin SOT-23
- Microchip DN3135 Type N-Channel MOSFET 350 V Depletion, 3-Pin SOT-23