Microchip TN0610 Type N-Channel MOSFET, 500 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0610N3-G
- RS Stock No.:
- 264-8912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN0610N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB222.59
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB238.17
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB44.518 | THB222.59 |
| 50 - 95 | THB36.394 | THB181.97 |
| 100 - 245 | THB33.926 | THB169.63 |
| 250 - 495 | THB33.21 | THB166.05 |
| 500 + | THB32.572 | THB162.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-8912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN0610N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 500A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | TN0610 | |
| Package Type | TO-92 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 500A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series TN0610 | ||
Package Type TO-92 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 100pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip TN0610 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- onsemi BS170 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 BS170
- onsemi BS170 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VN2222LL-G
- Microchip TN0604 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-92 TN0604N3-G
- Microchip VN0104 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-92 VN0104N3-G
- Microchip VN0300 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VN0300L-G
- Microchip TN0702 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-92 TN0702N3-G
