onsemi BS170 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

RS Stock No.:: 124-1745
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BS170
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi BS170 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 1000 ชิ้น)*

THB3,183.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,406.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถุง*
1000 - 1000	THB3.183	THB3,183.00
2000 - 3000	THB3.087	THB3,087.00
4000 +	THB2.994	THB2,994.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-1745
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BS170
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	500mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-92
	Series	BS170
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.6nC
	Forward Voltage Vf	0.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	830mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	5.33mm
	Length	5.2mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.19 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 500mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-92
	Series BS170
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.6nC
	Forward Voltage Vf 0.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 830mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 5.33mm
	Length 5.2mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.19 mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi BS170 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง