ROHM RQ6E030AT Type P-Channel MOSFET, -3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-457
- RS Stock No.:
- 264-3831P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ6E030ATTCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB813.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB870.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 75 | THB16.274 |
| 100 - 225 | THB12.381 |
| 250 - 975 | THB12.135 |
| 1000 + | THB7.503 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-3831P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ6E030ATTCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-457 | |
| Series | RQ6E030AT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 91mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.25W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-457 | ||
Series RQ6E030AT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 91mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.25W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
The ROHM middle power MOSFET is small surface mount package MOSFET, it is small surface mount package, Pb-free lead plating and RoHS compliant.
Low on-resistance