Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 1.9 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7465TRPBF

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB578.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB619.33

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,975 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB23.152THB578.80
50 - 75THB22.699THB567.48
100 - 475THB20.842THB521.05
500 - 1975THB18.937THB473.43
2000 +THB18.555THB463.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
262-6736
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-41-668
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7465TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง