Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

RS Stock No.:: 262-5859
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB029N06NF2SATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 5)**

THB63.916

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB68.39

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

565 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
5 - 20	THB63.916	THB319.58
25 - 45	THB43.186	THB215.93
50 - 95	THB42.292	THB211.46
100 - 245	THB34.70	THB173.50
250 +	THB33.998	THB169.99

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 262-5859
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB029N06NF2SATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

Datasheet - IPB029N06NF2SATMA1

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	120 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	PG-TO263-3
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Channel Mode	Enhancement
Number of Elements per Chip	2
Transistor Material	SiC

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง