Dual SiC N-Channel MOSFET, 197 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB012N04NF2SATMA1

RS Stock No.:: 262-5845
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB012N04NF2SATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

Dual SiC N-Channel MOSFET, 197 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB012N04NF2SATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 2)**

THB100.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB107.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

800 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
2 - 8	THB100.34	THB200.68
10 - 48	THB86.415	THB172.83
50 - 98	THB67.745	THB135.49
100 - 248	THB54.45	THB108.90
250 +	THB53.345	THB106.69

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 262-5845
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB012N04NF2SATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

Datasheet - IPB012N04NF2SATMA1

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	197 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	PG-TO263-3
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Channel Mode	Enhancement
Number of Elements per Chip	2
Transistor Material	SiC

Dual SiC N-Channel MOSFET, 197 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB012N04NF2SATMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง