Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 382 A, 24 V, 3-Pin TO-262
- RS Stock No.:
- 260-5054
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF1324WL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB17,911.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,165.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB358.234 | THB17,911.70 |
| 100 - 450 | THB347.487 | THB17,374.35 |
| 500 - 950 | THB330.113 | THB16,505.65 |
| 1000 + | THB307.005 | THB15,350.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-5054
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF1324WL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 382A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 24V | |
| Package Type | TO-262 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 84nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 382A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 24V | ||
Package Type TO-262 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 84nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Length 9.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Widelead HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. It features175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .
Advanced process technology
Ultra low on resistance
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 24 V, 3-Pin TO-262 AUIRF1324WL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL7437PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRF540NLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-262