Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 9.9 A, 500 V TO-220
- RS Stock No.:
- 259-1560
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP50R380CEXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,452.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,554.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 + | THB29.047 | THB1,452.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1560
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP50R380CEXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | IPP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series IPP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 14.1A Maximum Continuous Drain Current, 98W Maximum Power Dissipation - IPP50R380CEXKSA1
This MOSFET is tailored for high-voltage power applications, focusing on efficiency and dependability. Incorporating CoolMOS™ technology, it improves switching performance while minimising losses, making it advantageous for various industrial applications and significantly enhancing energy management.
Features & Benefits
• Low Rds(on) reduces conduction losses, which contributes to efficiency
• High continuous drain current rating accommodates rigorous applications
• Simplifies integration into existing systems due to easy drivability
• Flexible gate threshold voltage broadens compatibility with different circuits
• Sturdy package design ensures durability in challenging environments
Applications
• Suitable for power factor correction (PFC) stages
• Works well in hard-switching PWM stages
• Applicable in resonant switching for LCD and PDP televisions
• Effective in lighting for efficient power management
• Utilised in power supplies for PCs and automation systems
What is the optimal gate-source voltage for operation?
The MOSFET functions effectively with a maximum gate-source voltage of ±30 V, optimising control across various applications.
How does this component perform in thermal environments?
With a maximum power dissipation of 98 W, it operates efficiently between -55°C and +150°C, making it suitable for a range of thermal conditions.
Can this component handle pulsed currents?
It can manage pulse currents up to 32.4A, supporting transient conditions competently without compromising performance.
What advantages does the superjunction technology provide?
Superjunction technology lowers both switching and conduction losses, enhancing overall efficiency and extending device lifespan in applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 500 V TO-220 IPP50R380CEXKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 650 V TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 650 V TO-220 IPP65R041CFD7XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220 IPP040N06NAKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-220
