Infineon BSC N-Channel MOSFET, 58 A, 25 V N, 8-Pin TDSON BSC050NE2LSATMA1

RS Stock No.:: 259-1472
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC050NE2LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BSC N-Channel MOSFET, 58 A, 25 V N, 8-Pin TDSON BSC050NE2LSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB54,995.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB58,845.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 +	THB10.999	THB54,995.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-1472
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC050NE2LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	TDSON
	Series	BSC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	28W
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type TDSON
	Series BSC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 28W
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC050NE2LSATMA1

Infineon BSC Series MOSFET, 25V Maximum Drain-Source Voltage, 28W Maximum Power Dissipation - BSC050NE2LSATMA1

This MOSFET is a surface-mounted N‑channel switching device designed for high‑current applications. It operates across an extensive temperature range and is supplied in an 8‑pin TDSON package for Compact board‑level integration. The device conforms to RoHS requirements and is intended for power‑management roles where low conduction losses and efficient thermal handling are important.

Features and Benefits:

• 5mΩ Rds(on) reduces conduction losses for high‑current switching
• 58A continuous drain current supports heavy‑load operation
• 28W power dissipation enables elevated thermal throughput
• 1V forward voltage lowers voltage drop during conduction
• -55°C to +150°C rating extends operational temperature capability

Applications

• Suitable as an SMD power MOSFET for motor control
• Used with DC power stages requiring high‑current 58A MOSFET with 5mΩ Rds(on)
• Ideal for Compact power converters using surface‑mount TDSON MOSFETs rated 25V
• Can be used for low Rds(on) power MOSFET 28W switching circuits

What pin count and package does it use?

It is supplied in an 8‑pin TDSON package for surface mounting.

How does the device handle automotive specification needs?

It is not specified as an automotive‑grade component but meets RoHS environmental limits.

What channel configuration and polarity are implemented?

The device uses an N‑channel configuration for low‑side or high‑side switching arrangements.

What are the thermal limits for operation?

The device is rated to function from -55°C up to +150°C.