Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V N, 8-Pin PG-TDSON-8 BSZ440N10NS3GATMA1
- RS Stock No.:
- 258-7030
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ440N10NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB77,155.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB82,555.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 + | THB15.431 | THB77,155.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-7030
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ440N10NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | OptiMOS-TM3 | |
| Package Type | PG-TDSON-8 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 44mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series OptiMOS-TM3 | ||
Package Type PG-TDSON-8 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 44mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 3 power transistor offers superior solutions for high efficiency and high power density SMPS. Compared to the next best technology this product achieves a reduction of 30 percent in both Rds on and FOM.
Excellent switching performance
Worlds lowest RDS on
RoHS compliant halogen free
MSL1 rated 2
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin PG-TO-220
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin PG-TO-220 IPP086N10N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 3-Pin TO-252 IPD135N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ028N04LSATMA1
