Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 114 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

RS Stock No.:: 222-4626
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ028N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 114 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB147,070.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB157,365.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 15,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB29.414	THB147,070.00
10000 - 10000	THB28.283	THB141,415.00
15000 +	THB27.925	THB139,625.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4626
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ028N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	114A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TSDSON
	Series	OptiMOS-TM3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	63W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5.35mm
	Width	6.1 mm
	Height	1.2mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 114A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TSDSON
	Series OptiMOS-TM3
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 63W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5.35mm
	Width 6.1 mm
	Height 1.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSZ028N04LSATMA1

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 114 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง