Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 46 A, 100 V, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 258-3969
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5053TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB216,344.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB231,488.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB54.086 | THB216,344.00 |
| 8000 - 8000 | THB48.678 | THB194,712.00 |
| 12000 + | THB43.81 | THB175,240.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3969
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5053TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount package
industry standard qualification level
Standard pinout allows for drop-in replacement
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN IRFH5053TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5302TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5301TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH3707TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
