Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 650 V N TO-252 IPD60R2K0PFD7SAUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-3856
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

210mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications. The CoolMOS PFD7 super junction MOSFET in a TO 252 DPAK package features RDS(on) of 2,000mOhm leading to low switching losses. An implemented fast body diode secures a robust device and in turn reduced bill-of material for the customer. Additionally, our industry-leading SMD package offering contributes to PCB space savings and simplifies manufacturing. This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low power motor drives.

Wide range of RDS(on) values

Excellent commutation ruggedness

Low EMI

Broad package portfolio

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Easy to select the right parts for design fine-tuning

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง