Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V Enhancement TO-252
- RS Stock No.:
- 258-3853
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB57,000.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB61,000.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB22.80 | THB57,000.00 |
| 5000 - 5000 | THB22.116 | THB55,290.00 |
| 7500 + | THB21.231 | THB53,077.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3853
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 210mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications. The CoolMOS PFD7 super junction MOSFET in a TO 252 DPAK package features RDS(on) of 280mOhm leading to low switching losses. The products come with an integrated fast body diode ensuring a robust device. The fast body diode and industry-leading SMD package reduce PCB space and in turn the bill-of-material the customer. This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low-power motor drives. The 600V CoolMOS PFD7 offers improved light- and full-load efficiency over CoolMOS P7 and CE MOSFET technologies resulting in an increase in power density by 1.8W/inch3.
Excellent commutation ruggedness
Low EMI
Broad package portfolio
BOM cost reduction and easy manufacturing
Robustness and reliability
Easy to select the right parts for design fine-tuning
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement TO-252 IPD60R280PFD7SAUMA1
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-252 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-252 IRFR3410TRLPBF
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-252 IPD60R600PFD7SAUMA1