Infineon IPD N-Channel MOSFET, 4.3 A, 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R950CEAUMA1
- RS Stock No.:
- 258-3846
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD50R950CEAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB22,225.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB23,775.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB8.89 | THB22,225.00 |
| 5000 - 5000 | THB8.001 | THB20,002.50 |
| 7500 + | THB7.201 | THB18,002.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3846
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD50R950CEAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 830mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Forward Voltage Vf 830mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 500V CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
High body diode ruggedness
Reduced reverse recovery charge
Easy control of switching behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R950CEAUMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD60R145CFD7ATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD50N10S3L16ATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD95R750P7ATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD122N10N3GATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-252 IPD95R450PFD7ATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R450P7ATMA1