Infineon iPB N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1
- RS Stock No.:
- 258-3826
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB56,762.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB283,814.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB303,681.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB283.814 | THB283,814.00 | - |
| 2000 - 2000 | THB255.433 | THB255,433.00 | THB56,762.00 |
| 3000 + | THB229.89 | THB229,890.00 | THB161,772.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3826
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 211A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 211A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.
Best-in-class quality and reliability
Higher breakdown voltage
High peak current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 120 V N TO-263 IPB038N12N3GATMA1
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 600 V N TO-263 IPB60R299CPAATMA1
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 80 V N TO-263 IPB040N08NF2SATMA1
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 60 V N TO-263 IPB026N06NATMA1
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 80 V N TO-263 IPB024N08NF2SATMA1
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 80 V N TO-263 IPB055N08NF2SATMA1
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 220 V N TO-263 IPB156N22NFDATMA1