Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 22.4 A, 700 V N TO-263 IPB65R150CFDATMA2
- RS Stock No.:
- 258-3811
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R150CFDATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB130.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB139.51
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB130.38 |
| 10 - 99 | THB117.31 |
| 100 - 249 | THB108.02 |
| 250 - 499 | THB96.11 |
| 500 + | THB91.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3811
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R150CFDATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650V CoolMOS CFD2 is second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behaviour and therefore better EMI behaviour gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Easy to design-in
Lower price compared to 600V CFD technology
Low Qoss
Reduced turn on and turn of delay times
Outstanding CoolMOS quality
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 700 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 120 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 60 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 600 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 220 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-263 IPB040N08NF2SATMA1
