Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 68 A, 120 V N, 8-Pin TDSON BSC120N12LSGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB119.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB127.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 4,974 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB59.785THB119.57
10 - 98THB53.605THB107.21
100 - 248THB43.29THB86.58
250 - 498THB35.63THB71.26
500 +THB29.45THB58.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-0697
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC120N12LSGATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

BSC

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.2mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Forward Voltage Vf

0.87V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Length

5.49mm

Width

6.35 mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 3 power MOSFETs in logic level are highly suitable for charging, adapter and telecom applications. The devices low gate charge reduces switching losses without compromising conduction losses. Logic level MOSFETs allow operations at high switching frequencies and due to a low gate threshold voltage can be driven directly from microcontrollers.

Low gate charge

Lower output charge

Logic level compatibility

Higher power density designs

Higher switching frequency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง