Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 68 A, 120 V N, 8-Pin TDSON BSC120N12LSGATMA1
- RS Stock No.:
- 258-0697
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC120N12LSGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB119.57
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB127.94
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 4,974 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB59.785 | THB119.57 |
| 10 - 98 | THB53.605 | THB107.21 |
| 100 - 248 | THB43.29 | THB86.58 |
| 250 - 498 | THB35.63 | THB71.26 |
| 500 + | THB29.45 | THB58.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-0697
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC120N12LSGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 120V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | BSC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14.2mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.87V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 114W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.35 mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Length | 5.49mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 120V | ||
Package Type TDSON | ||
Series BSC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14.2mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Forward Voltage Vf 0.87V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 114W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.35 mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Length 5.49mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 3 power MOSFETs in logic level are highly suitable for charging, adapter and telecom applications. The devices low gate charge reduces switching losses without compromising conduction losses. Logic level MOSFETs allow operations at high switching frequencies and due to a low gate threshold voltage can be driven directly from microcontrollers.
Low gate charge
Lower output charge
Logic level compatibility
Higher power density designs
Higher switching frequency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 120 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 75 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 25 V N, 8-Pin TDSON