Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 46 A, 250 V TO-220 IRFB4229PBF
- RS Stock No.:
- 257-9347
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB4229PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB253.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB271.64
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 368 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB126.93 | THB253.86 |
| 10 - 18 | THB114.075 | THB228.15 |
| 20 - 98 | THB111.85 | THB223.70 |
| 100 - 498 | THB93.29 | THB186.58 |
| 500 + | THB81.07 | THB162.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9347
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB4229PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFB series is the 250V single n channel strong IRFET power mosfet in a TO 220 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Industry standard through hole power package
High current rating
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 250 V TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN IRFH5053TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-220 IRFB7534PBF
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP65R045C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4332PBF