Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 67 A, 60 V Micro8 IRF6674TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB164.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB176.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB82.47THB164.94
50 - 98THB74.365THB148.73
100 - 498THB60.765THB121.53
500 - 1998THB50.905THB101.81
2000 +THB44.415THB88.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-9298
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF6674TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

67A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

Micro8

Series

HEXFET

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 60V single n channel strong IRFET power mosfet in a direct FET mx package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

High current rating

dual-side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package

100 percent lead free (No RoHS exemption)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง