Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V TO-262 IRF2804STRLPBF
- RS Stock No.:
- 257-9281
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF2804STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB201.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB215.338
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 368 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB100.625 | THB201.25 |
| 10 - 48 | THB90.52 | THB181.04 |
| 50 - 98 | THB88.665 | THB177.33 |
| 100 - 248 | THB74.15 | THB148.30 |
| 250 + | THB72.73 | THB145.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9281
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF2804STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 270A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-262 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 270A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-262 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 40V single n channel power mosfet in a TO 220 package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard through-hole power package
High current rating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS3006TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP3006PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB3036PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
