Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP3006PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB110.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB118.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 96 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 764 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 1THB110.36
2 - 4THB107.05
5 - 7THB103.84
8 - 9THB100.72
10 +THB97.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
260-5869
Distrelec หมายเลขบทความ:
302-84-049
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFP3006PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

270A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-247

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

15.87mm

Height

20.7mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30284049

Infineon HEXFET Series MOSFET, 270A Maximum Continuous Drain Current, 60V Maximum Drain Source Voltage - IRFP3006PBF


This high-performance MOSFET is a critical component for modern electronic applications, designed with enhanced efficiency and reliability in mind. The dimensions of this TO-247 package include a length of 15.87mm, width of 5.31mm, and height of 20.7mm. It operates effectively in a variety of environments and contributes significant value in power management situations.

Features & Benefits


• High continuous drain current rated at 270A for demanding requirements

• 60V drain-source capability for versatile usage

• Maximum power dissipation of 375W supports robust performance

• Enhanced avalanche capability for better system protection

• Through-hole mounting ensures solid and dependable installation

Applications


• Utilised in high-efficiency synchronous rectification systems

• Ideal for uninterruptible power supplies to ensure reliability

• Effective in high-speed power switching

• Suitable for hard-switched and high-frequency circuitry

What thermal performance can be expected under continuous operating conditions?


With a maximum operating temperature of +175°C, it reliably handles high thermal loads, while the thermal resistance from junction to case supports efficient heat dissipation.

How does the gate threshold voltage contribute to its performance in circuits?


It features a maximum gate threshold voltage of 4V, ensuring that control signals activate the MOSFET effectively, providing synergy with lower voltage control circuits.

What are the implications of the low Rds(on) for circuit efficiency?


A low on-resistance of 2.5mΩ significantly reduces energy losses, enhancing overall circuit efficiency, especially in power-intensive applications, which translates into lower heat generation and improved performance sustainability.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง