DiodesZetex N-Channel MOSFET, 400 mA, 30 V X2-DFN0806-6 DMN31D5UDAQ-7B
- RS Stock No.:
- 254-8612
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN31D5UDAQ-7B
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB166.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB177.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,825 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | THB6.646 | THB166.15 |
| 500 - 975 | THB2.421 | THB60.53 |
| 1000 - 2475 | THB1.721 | THB43.03 |
| 2500 - 4975 | THB1.69 | THB42.25 |
| 5000 + | THB1.659 | THB41.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-8612
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN31D5UDAQ-7B
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | X2-DFN0806-6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.37W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.38nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type X2-DFN0806-6 | ||
Mount Type Surface | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.37W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.38nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodeZetex enhancement mode MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is applicable in general purpose interfacing sw
Low on resistance
Very low gate threshold voltage
ESD protected gate
Halogen and antimony Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex N-Channel MOSFET 30 V X2-DFN0806-6 DMN31D5UDAQ-7B
- DiodesZetex Type P 400 mA, 30 V X2-DFN0806-6 DMC31D5UDAQ-7B
- DiodesZetex Type N 480 mA, 20 V X2-DFN0806-6 DMC2991UDA-7B
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 20 V X2-DFN0806-6 DMP22D5UDA-7B
- DiodesZetex DMN63D8L N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN63D8L-7
- Nexperia NX3008NBK N-Channel MOSFET 30 V Enhancement215
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin X2-DFN DMP32D9UFO-7B
- DiodesZetex DMN62 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
