ROHM RH6P040BH Type N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V Enhancement HSMT-8
- RS Stock No.:
- 252-3155P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RH6P040BHTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB2,533.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,711.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 90 | THB50.677 |
| 100 - 240 | THB41.392 |
| 250 - 990 | THB40.554 |
| 1000 + | THB39.716 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-3155P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RH6P040BHTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | RH6P040BH | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb Free | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series RH6P040BH | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb Free | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Rohms offers a RH series of a power mosfet with low on resistance and suitable for switching. It is halogen free with 100% Rg and UIS tested with the input volage of 100 V.
Operating junction and storage temperature range is -55℃ to +150℃
Mounted on a cu board
Drain current is 40 A
Power dissipation is 59 W