Vishay Type N-Channel MOSFET, 141 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS180ELNW-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB279.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB298.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 2,960 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB27.938THB279.38
50 - 90THB27.394THB273.94
100 - 240THB21.683THB216.83
250 - 990THB21.242THB212.42
1000 +THB14.172THB141.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
252-0324
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQS180ELNW-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

141A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

94nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Wettable flank terminals

Low thermal resistance with 0.75 mm profile

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง