Vishay Type P-Channel MOSFET, 6.46 A, 60 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA411CEJW-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB372.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB399.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB14.918THB372.95
50 - 75THB14.172THB354.30
100 - 225THB13.322THB333.05
250 - 975THB12.389THB309.73
1000 +THB11.398THB284.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
252-0300
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQA411CEJW-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.46A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SC-70W-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.21mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

13.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.05 mm

Length

2.05mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

Wettable flank terminals

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง