Infineon Dual N BSD840N 2 Type P-Channel OptiMOSTM2 Small-Signal-Transistors, 0.88 A, 20 V Dual N, 6-Pin SOT-363
- RS Stock No.:
- 250-0526
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD840NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB78.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB84.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 14,910 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB7.88 | THB78.80 |
| 20 - 90 | THB7.094 | THB70.94 |
| 100 - 240 | THB6.373 | THB63.73 |
| 250 - 490 | THB5.74 | THB57.40 |
| 500 + | THB5.172 | THB51.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0526
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD840NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | OptiMOSTM2 Small-Signal-Transistors | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.88A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | BSD840N | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Pin Count | 6 | |
| Channel Mode | Dual N | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual N | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type OptiMOSTM2 Small-Signal-Transistors | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.88A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series BSD840N | ||
Package Type SOT-363 | ||
Pin Count 6 | ||
Channel Mode Dual N | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual N | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Small Signal n-channel products are suitable for automotive applications. This device is OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor. The Dual N-channel, Enhancement mode. The device offers Ultra Logic level (1.8V rated) and it is Avalanche rated.
Enhancement mode and Pb-free lead plating
Vds is 20 V and Id is 0.88 A
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual N BSD840N 2 Type P-Channel OptiMOSTM2 Small-Signal-Transistors 20 V Dual N, 6-Pin SOT-363
- Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG20N06S4-15A 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Dual N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual N IPG 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
