Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263 IMBG120R140M1HXTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB215.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB230.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 946 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB215.87
10 - 99THB194.35
100 - 249THB174.87
250 - 499THB157.45
500 +THB141.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
249-6952
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMBG120R140M1HXTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-263

Series

IMBG

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon silicon carbide MOSFET reduction of system complexity. It directly drive from fly-back controller. Efficiency improvement and cooling effort reduction. Enabling higher frequency.

Very low switching losses

Short circuit withstand time 3 μs

Fully controllable dV/dt

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied

Robust body diode for hard commutation

XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Package creepage and clearance distance > 6.1mm

Sense pin for optimized switching performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง