Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET, 64 A, 75 V N, 7-Pin TO-263 IMBG65R022M1HXTMA1
- RS Stock No.:
- 248-9311
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG65R022M1HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB572.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB612.53
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB572.46 |
| 10 - 99 | THB515.25 |
| 100 - 249 | THB463.62 |
| 250 - 499 | THB417.31 |
| 500 + | THB375.52 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-9311
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMBG65R022M1HXTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | IMBG | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series IMBG | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon SiC MOSFET is a 650 V CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology, leveraging the wide bandgap SiC material characteristics, the 650 V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use, suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.
Optimized switching behaviour at higher currents
Commutation robust fast body diode with low Qf
Superior gate oxide reliability
Tj,max-175°C and excellent thermal behaviour
Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature
Increased avalanche capability
Compatible with standard drivers
Kelvin source provides upto 4 times lower switching losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V N, 7-Pin TO-263
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V N, 7-Pin TO-263 IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V N, 7-Pin TO-263 IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V N, 7-Pin TO-263 IMBG65R260M1HXTMA1
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V N, 7-Pin TO-263 IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V N, 7-Pin TO-263 IMBG65R083M1HXTMA1
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V N, 7-Pin TO-263 IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V N, 7-Pin TO-263 IMBG65R030M1HXTMA1