Infineon IMBF N-Channel MOSFET, 64 A, 100 V N, 7-Pin TO-263 IMBF170R450M1XTMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB223.97

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB239.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 354 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB223.97
10 - 99THB201.68
100 - 249THB181.50
250 - 499THB163.19
500 +THB147.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
249-6950
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMBF170R450M1XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IMBF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Infineon IMBF Series MOSFET, 100V Drain Source Voltage, 64A Continuous Drain Current - IMBF170R450M1XTMA1


This MOSFET is a high-current N-channel transistor designed for power switching in surface-mounted assemblies. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and provides low conduction losses and appreciable power handling within systems requiring robust gate-drive control.

Features and Benefits:


• Low on-resistance of 1.7mΩ reduces conduction losses and heat
• 100V drain-source rating enables medium-voltage switching applications
• 64A continuous drain current supports high-current power stages
• 81W power dissipation permits sustained thermal loading
• 80nC typical gate charge allows efficient switching with moderate drive
• 20V gate-source limit provides margin for rugged gate-drive designs

Applications


• Suitable for DC-DC converters in industrial power supplies
• Ideal for motor-drive stages in power-electronics systems
• Used for load switching in high-current battery management
• Can be used for synchronous rectification in power converters
• Appropriate for surface-mount power modules on Compact boards

What gate-drive considerations are necessary for Rapid switching?


Use a driver capable of sourcing and sinking the 80nC gate charge to achieve the desired dV/dt while managing switching losses.

How should thermal management be approached in designs?


Implement adequate PCB copper area and thermal vias under the TO-263 footprint to dissipate the 81W junction loss during continuous operation.

What limits protect the device from excessive gate voltage?


Keep gate-drive amplitude within the 20V gate-source maximum to avoid gate-oxide stress and possible device failure.

How does the operating temperature range affect application selection?


The −55°C to 175°C range enables deployment in environments with extreme cold or elevated ambient temperatures where other components may be unsuitable.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง