Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N08S2L07ATMA1

RS Stock No.:: 249-6906
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB80N08S2L07ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N08S2L07ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB181.64

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB194.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,998 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB181.64
10 - 99	THB163.47
100 - 249	THB147.25
250 - 499	THB132.57
500 +	THB119.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 249-6906
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB80N08S2L07ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB80N08S2L07ATMA1

75V, N-Ch, 6.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

Summary of Features

•N-channel Logic Level - Enhancement mode

•Automotive AEC Q101 qualified

•MSL1 up to 260°C peak reflow

•175°C operating temperature

•Green package (lead free)

•Ultra low Rds(on)

•100% Avalanche tested

Benefits

•world's lowest RDS at 75V (on) in planar technology

•highest current capability

•lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

•robust packages with superior quality and reliability

•Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Potential Applications

•Valves control

•Solenoids control

•Lighting

•Single-ended motors