Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 249-6901
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB35N10S3L26ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB34,694.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37,123.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB34.694 | THB34,694.00 |
| 2000 - 2000 | THB33.653 | THB33,653.00 |
| 3000 + | THB32.307 | THB32,307.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6901
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB35N10S3L26ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.
175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB35N10S3L26ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263