Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 13.3 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 260-1100
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB95R450PFD7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB50,333.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB53,856.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB50.333 | THB50,333.00 |
| 2000 - 2000 | THB48.823 | THB48,823.00 |
| 3000 + | THB46.87 | THB46,870.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-1100
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB95R450PFD7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 950V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 950V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 950V CoolMOS PFD7 series sets a new benchmark in the super junction(SJ) technologies. This technology is designed to address Lighting and Industrial SMPS applications by combining best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. Compared to the CoolMOS P7 families, the PFD7 offers an integrated ultra fast body diode enabling usage in resonant topologies with markets lowest reverse recovery charge(Qrr).
Best-in-class CoolMOS quality and reliability
Best-in-class RDS (on) in THD and SMD packages
ESD protection minimum Class2 (HBM)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB95R450PFD7ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-252 IPD95R450PFD7ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 90 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-263
