ROHM RCJ331N25 Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 249-1131P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RCJ331N25TL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB4,923.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,268.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 48 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 98 | THB98.47 |
| 100 - 248 | THB93.365 |
| 250 - 498 | THB91.43 |
| 500 + | THB80.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-1131P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RCJ331N25TL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | RCJ331N25 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series RCJ331N25 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 250 V drain-source voltage and 33 A drain current, taping packing type.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating RoHs compliant
100 percent avalanche tested
Drive circuits can be simple