Infineon IMZA Type N-Channel MOSFET, 225 A, 75 V N, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 240 ชิ้น)*

THB226,903.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB242,786.64

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
240 - 240THB945.431THB226,903.44
480 - 480THB898.158THB215,557.92
720 +THB853.251THB204,780.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
248-6675
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMZA120R014M1HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

225A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

IMZA

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC 1200 V, 14 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state of the art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability, these includes, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic and the CoolSiC MOSFETs are ideal for hard and resonant switching topologies like power factor correction (PFC) circuits, bi-directional topologies and DC-DC converters or DC-AC inverters.

VDSS - 1200 V at T - 25°C

IDCC - 127 A at T - 25°C

RDS(on) - 14 mohm at VGS - 18 V, T - 25°C

Very low switching losses

Short circuit withstand time 3 microsecond

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) - 4.2 V

Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied

Robust body diode for hard commutation

XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง