Infineon IMW Type N-Channel MOSFET, 52 A, 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R020M1HXKSA1

RS Stock No.:: 248-6669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMW120R020M1HXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IMW Type N-Channel MOSFET, 52 A, 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R020M1HXKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB659.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB705.13

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

420 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB659.00
10 - 49	THB637.25
50 - 99	THB616.22
100 - 149	THB595.88
150 +	THB576.22

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 248-6669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMW120R020M1HXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	52A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Package Type	TO-247
	Series	IMW
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 52A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Package Type TO-247
	Series IMW
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMW120R020M1HXKSA1

The Infineon CoolSiC 1200 V, 20 mΩ SiC MOSFET in TO247-3 package build on a state of the art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability, these includes, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic and the CoolSiC MOSFETs are ideal for hard and resonant switching topologies like power factor correction (PFC) circuits, bi-directional topologies and DC-DC converters or DC-AC inverters.

VDSS - 1200 V at T - 25°C

IDCC - 98 A at T - 25°C

RDS(on) - 19 mohm at VGS - 18 V, T - 25°C

Very low switching losses

Short circuit withstand time 3 microsecond

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) - 4.2 V

Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied

Robust body diode for hard commutation

XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Infineon IMW Type N-Channel MOSFET, 52 A, 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R020M1HXKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง